如今低压大电流已成为DC／DC变换器的一种趋势，在这种情况下，传统的采用肖特基二极管的整流方式（非同步整流也称异步升压）已经不能满足高效率的要求，用通态电阻极低的功率M0sFET来取代整流二极管的同步整流技术应用越来越普遍。
 
这不仅可以大大降低整流器的损耗，提高DC／Dc变换器的效率，而且还不存在二极管的死区电压问题。对于Dc／DC转换芯片中驱动电路的设计而言，驱动能力和功耗指标是至关重要的。驱动能力主要体现在从发出控制信号到功率M0s管完成开关转换所需的延迟时间，驱动能力越强，延迟时问越小。目前开关电源的高频化的趋势，使得对驱动能力指标的要求变得更加苛刻。另外，如何在保证驱动能力的前提下降低驱动电路的功耗也是DC／Dc开关电源驱动电路设计时必须着重考虑的一个方面。

 
驱动电路的设计
      图l为同步整流升压式DC／Dc电路的拓扑图，功率NMOs管M1为开关管，PM0s管M2为整流管（如：PS7516同步整流升压IC就是一款不错的IC）。
通过给Ml管和M2管施加同步驱动电压，可以使电路有效地工作。为了简化系统设计，减小体积，提高集成度，在我们设计的同步整流升压芯片中，将开关管和同步整流PMOs管都集成在了芯片里。芯片中开关管和整流管的驱动电路如图2所示。DriN、‘DriP为开关管Ml和整流管M2的逻辑控制信号，经过开关管驱动电路DriveN和整流管驱动电路DriveP后转换成栅驱动信号NG和PG。BodyControl电路为整流PMOS管的衬底控制电路，同时为DriveP提供电源，其Body用来跟随输人电压Vin和输出电压Vout中的较大者。